Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками, изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ, дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/ SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем, особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ, одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.