Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/ вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.
Автор:
Автор:Вонг Б.П., Миттал А. и др.
Переплет:
Переплет:твердый
Категория:
- Категория:Компьютерные технологии
- Категория:Инженерное дело и транспорт
Серия:
Серия:Мир радиоэлектроники
ISBN:
ISBN:978-5-94836-377-6
Отзывы не найдены