Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
2-е издание, исправленное.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
2-е издание, исправленное.
Автор:
Автор:Красников Геннадий Яковлевич
Переплет:
Переплет:твердый
Категория:
- Категория:Компьютерные технологии
- Категория:Наука и математика
Язык издания:
Язык издания:русский
Бумага:
Бумага:офсетная
Размеры:
Размеры:25x18x3.7 см
Серия:
Серия:Мир электроники
ISBN:
ISBN:978-5-94836-289-2
Отзывы не найдены